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Herstellerteilenummer | SD103AWS-G3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SD103AWS-G3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
SD103AWS-G3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 350mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 10ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 30V |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD103AWS-G3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SD103AWS-G3-08-FT |
VS-SD403C12S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD403C14S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD403C16S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel