Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SD103BWS-E3-08
Herstellerteilenummer | SD103BWS-E3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SD103BWS-E3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
SD103BWS-E3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 350mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 10ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD103BWS-E3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SD103BWS-E3-08-FT |
BAS170WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel