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Herstellerteilenummer | SI1029X-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI1029X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI1029X-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 305mA, 190mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
Leistung max | 250mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SC-89-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1029X-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI1029X-T1-E3-FT |
SIA915DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA917DJ-T1-GE3
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SIA918EDJ-T1-GE3
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A42MX24-PQG208
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
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Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
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