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Herstellerteilenummer | SI1031X-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI1031X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI1031X-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 155mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 150mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SC-75A |
Paket / fall | SC-75A |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1031X-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI1031X-T1-GE3-FT |
SIB417EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB404DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB406EDK-T1-GE3
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SIB408DK-T1-GE3
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SIB410DK-T1-GE3
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SIB411DK-T1-E3
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SIB411DK-T1-GE3
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SIB412DK-T1-E3
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SIB412DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB413DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel