Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIB410DK-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SIB410DK-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIB410DK-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIB410DK-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 13W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Paket / fall | PowerPAK® SC-75-6L |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIB410DK-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIB410DK-T1-GE3-FT |
SIA406DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA408DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA411DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA411DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA416DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA417DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA418DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA419DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA425EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA426DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel