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Herstellerteilenummer | SI3434DV-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI3434DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI3434DV-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 6.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 1mA (Min) |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.14W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3434DV-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI3434DV-T1-E3-FT |
SI5443DC-T1-GE3
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SI5414DC-T1-GE3
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SI5424DC-T1-GE3
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SI5401DC-T1-GE3
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SI5402BDC-T1-E3
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SI5402BDC-T1-GE3
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SI5402DC-T1-E3
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SI5402DC-T1-GE3
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SI5404BDC-T1-GE3
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SI5406CDC-T1-GE3
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