Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI5402BDC-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SI5402BDC-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI5402BDC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI5402BDC-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.9A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
Paket / fall | 8-SMD, Flat Lead |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5402BDC-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI5402BDC-T1-GE3-FT |
SIS626DN-T1-GE3
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
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