Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI3443BDV-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SI3443BDV-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI3443BDV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI3443BDV-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3443BDV-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI3443BDV-T1-GE3-FT |
SI1300BDL-T1-E3
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SI1300BDL-T1-GE3
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SI1303DL-T1-E3
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LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel