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Vishay Siliconix SI3867DV-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SI3867DV-T1-GE3
verfügbare Anzahl
46280 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SI3867DV-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SI3867DV-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SI3867DV-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SI3867DV-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 6-TSOP
Paket / fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI3867DV-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SI3867DV-T1-GE3-FT

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