Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SQ3481EV-T1_GE3
Herstellerteilenummer | SQ3481EV-T1_GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SQ3481EV-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ3481EV-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 4W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ3481EV-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQ3481EV-T1_GE3-FT |
SI1302DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1330EDL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1330EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1300BDL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1300BDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1303DL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1303DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1303EDL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1304BDL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1304BDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel