Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI4410DY
Herstellerteilenummer | SI4410DY |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI4410DY |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
SI4410DY Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4410DY Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI4410DY-FT |
IRF7807VD1PBF
Infineon Technologies
IRF7807VD1TR
Infineon Technologies
IRF7807VD1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807VD2
Infineon Technologies
IRF7807VD2PBF
Infineon Technologies
IRF7807VD2TR
Infineon Technologies
IRF7807VD2TRPBF
Infineon Technologies
IRF7807VPBF
Infineon Technologies
IRF7807VTR
Infineon Technologies
IRF7807VTRPBF
Infineon Technologies
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation