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Herstellerteilenummer | SI4442DY-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI4442DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI4442DY-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 15A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4442DY-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI4442DY-T1-E3-FT |
IRF7706GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7706TR
Infineon Technologies
IRF7706TRPBF
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IRF7707
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NTQS6463R2
ON Semiconductor
SI4425BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
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XC2V250-6FGG456C
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M2GL090TS-1FGG676I
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LFEC10E-4QN208I
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EP1K100QC208-3N
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