Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NTQS6463R2
Herstellerteilenummer | NTQS6463R2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NTQS6463R2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NTQS6463R2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 930mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-TSSOP |
Paket / fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTQS6463R2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NTQS6463R2-FT |
SI6413DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6469DQ-T1-GE3
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IRF7521D1TRPBF
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IRF7523D1TR
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XC7A15T-2FTG256C
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XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
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M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
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AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
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