Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI4800BDY-T1-E3
Herstellerteilenummer | SI4800BDY-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI4800BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI4800BDY-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4800BDY-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI4800BDY-T1-E3-FT |
IRF7701TRPBF
Infineon Technologies
IRF7702
Infineon Technologies
IRF7702GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7702TR
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IRF7702TRPBF
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IRF7703
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IRF7703TR
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IRF7704
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A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
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M2GL025S-1VF400I
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
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