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Infineon Technologies IRF7702GTRPBF

MFG-Teilenummer
IRF7702GTRPBF
verfügbare Anzahl
28050 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRF7702GTRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF7702GTRPBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRF7702GTRPBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRF7702GTRPBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3470pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-TSSOP
Paket / fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7702GTRPBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF7702GTRPBF-FT

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