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Infineon Technologies IRF7702GTRPBF
- MFG-Teilenummer
- IRF7702GTRPBF
- verfügbare Anzahl
- 28050 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- HEXFET® MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IRF7702GTRPBF.pdf
IRF7702GTRPBF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IRF7702GTRPBF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IRF7702GTRPBF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HEXFET® |
| IRF7702GTRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3470pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Paket / fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF7702GTRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IRF7702GTRPBF-FT |
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