Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI4850EY-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SI4850EY-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI4850EY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI4850EY-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4850EY-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI4850EY-T1-GE3-FT |
SI6459BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6459BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6463BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6463BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6465DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6465DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6466ADQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6466ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6467BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6467BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel