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Herstellerteilenummer | SI4862DY-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI4862DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI4862DY-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 16V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 17A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 25A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4862DY-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI4862DY-T1-GE3-FT |
SI4894BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9407BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
CWDM3011P TR13
Central Semiconductor Corp
RRH100P03GZETB
Rohm Semiconductor
RS3E095BNGZETB
Rohm Semiconductor
RS3E135BNGZETB
Rohm Semiconductor
RSH065N03TB1
Rohm Semiconductor
SI4010DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4062DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4100DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel