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Vishay Siliconix SI5411EDU-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SI5411EDU-T1-GE3
verfügbare Anzahl
59170 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SI5411EDU-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SI5411EDU-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SI5411EDU-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SI5411EDU-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 6V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Single
Paket / fall PowerPAK® ChipFET™ Single
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5411EDU-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SI5411EDU-T1-GE3-FT

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