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Vishay Siliconix SI5513CDC-T1-GE3

Name: SI5513CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5513CDC-T1-GE3
Price: 0.194944 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (466 reviews)

MFG-Teilenummer: SI5513CDC-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 11690 Stücke

Referenzpreis: USD 0.194944

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI5513CDC-T1-GE3.pdf

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SI5513CDC-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI5513CDC-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SI5513CDC-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI5513CDC-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N and P-Channel
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	285pF @ 10V
Leistung max	3.1W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5513CDC-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI5513CDC-T1-GE3-FT

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