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Vishay Siliconix SI5513DC-T1-GE3

Name: SI5513DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5513DC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.7 (434 reviews)

MFG-Teilenummer: SI5513DC-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 27120 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI5513DC-T1-GE3.pdf

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SI5513DC-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI5513DC-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SI5513DC-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI5513DC-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N and P-Channel
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.1A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	1.1W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5513DC-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI5513DC-T1-GE3-FT

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