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Herstellerteilenummer | SI5519DU-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI5519DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI5519DU-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
Leistung max | 10.4W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5519DU-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI5519DU-T1-GE3-FT |
FDQ7236AS
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
IRF7335D1TR
Infineon Technologies
SI4310BDY-T1-E3
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SIA517DJ-T1-GE3
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LCMXO2-2000HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
A3P125-2VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C4N
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XCKU3P-2FFVD900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C6
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EPF10K130EBC356-1
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