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Vishay Siliconix SI5855DC-T1-E3

Name: SI5855DC-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5855DC-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 4.8 (409 reviews)

MFG-Teilenummer: SI5855DC-T1-E3

verfügbare Anzahl: 23020 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI5855DC-T1-E3.pdf

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SI5855DC-T1-E3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI5855DC-T1-E3
Zukünftige Teilenummer	FT-SI5855DC-T1-E3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI5855DC-T1-E3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	1.1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Paket / fall	8-SMD, Flat Lead
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5855DC-T1-E3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI5855DC-T1-E3-FT

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