Herstellerteilenummer | IRF630L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF630L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IRF630L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I2PAK |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF630L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF630L-FT |
SUP50N10-21P-GE3
Vishay Siliconix
SUP53P06-20-GE3
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SUP60N02-4M5P-E3
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SUP60N06-12P-E3
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SUP60N06-12P-GE3
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SUP60N10-16L-E3
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SUP60N10-18P-E3
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SUP70090E-GE3
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SUP70N03-09BP-E3
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