Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI7392DP-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SI7392DP-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI7392DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI7392DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.75 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7392DP-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI7392DP-T1-GE3-FT |
SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7155DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR104DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR106DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR108DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR122DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR124DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR140DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR165DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel