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Herstellerteilenummer | SIR122DP-T1-RE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIR122DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
SIR122DP-T1-RE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR122DP-T1-RE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIR122DP-T1-RE3-FT |
SI7336ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7148DP-T1-E3
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SI7848BDP-T1-E3
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XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
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EP3SE260F1152I4N
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation