Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI7818DN-T1-E3
Herstellerteilenummer | SI7818DN-T1-E3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI7818DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI7818DN-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7818DN-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI7818DN-T1-E3-FT |
SIHB22N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60ET5-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60S-GE3
Vishay Siliconix
SIHB23N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB24N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHB24N65ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB24N65ET5-GE3
Vishay Siliconix
SIHB30N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHB30N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB33N60E-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel