Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI7818DN-T1-E3
Herstellerteilenummer | SI7818DN-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI7818DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI7818DN-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7818DN-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI7818DN-T1-E3-FT |
SIHB22N60ET1-GE3
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SIHB22N60ET5-GE3
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SIHB22N60S-GE3
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