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Vishay Siliconix SI8819EDB-T2-E1

MFG-Teilenummer
SI8819EDB-T2-E1
verfügbare Anzahl
84570 Stücke
Referenzpreis
USD 0.10324
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
- MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SI8819EDB-T2-E1.pdf
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SI8819EDB-T2-E1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SI8819EDB-T2-E1
Zukünftige Teilenummer FT-SI8819EDB-T2-E1
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
SI8819EDB-T2-E1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 2.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 3.7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 6V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 900mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Paket / fall 4-XFBGA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8819EDB-T2-E1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SI8819EDB-T2-E1-FT

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