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Vishay Siliconix SIA427DJ-T1-GE3

Name: SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA427DJ-T1-GE3
Price: 0.180504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (403 reviews)

MFG-Teilenummer: SIA427DJ-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 93720 Stücke

Referenzpreis: USD 0.180504

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIA427DJ-T1-GE3.pdf

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SIA427DJ-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIA427DJ-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIA427DJ-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SIA427DJ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 5V
Vgs (Max)	±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 4V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall	PowerPAK® SC-70-6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIA427DJ-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIA427DJ-T1-GE3-FT

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