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Vishay Siliconix SIA445EDJT-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SIA445EDJT-T1-GE3
verfügbare Anzahl
30050 Stücke
Referenzpreis
USD 0.154072
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
- MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SIA445EDJT-T1-GE3.pdf
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SIA445EDJT-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SIA445EDJT-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SIA445EDJT-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
SIA445EDJT-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.7 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2180pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall PowerPAK® SC-70-6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIA445EDJT-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SIA445EDJT-T1-GE3-FT

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