Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIA445EDJT-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SIA445EDJT-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIA445EDJT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SIA445EDJT-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.7 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 19W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paket / fall | PowerPAK® SC-70-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA445EDJT-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIA445EDJT-T1-GE3-FT |
PMPB85ENEA/FX
Nexperia USA Inc.
PMPB95ENEA/FX
Nexperia USA Inc.
PMT200EPEX
Nexperia USA Inc.
PMV130ENEA/DG/B2R
Nexperia USA Inc.
PMV160UPVL
Nexperia USA Inc.
PMV30UN2VL
Nexperia USA Inc.
PMV45EN2VL
Nexperia USA Inc.
PMV48XPVL
Nexperia USA Inc.
PMV50UPEVL
Nexperia USA Inc.
PMV65XPVL
Nexperia USA Inc.
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel