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Herstellerteilenummer | SIA811ADJ-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIA811ADJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LITTLE FOOT® |
SIA811ADJ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 10V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 6.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paket / fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA811ADJ-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIA811ADJ-T1-GE3-FT |
SI4823DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4825DY-T1-E3
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SI4825DY-T1-GE3
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XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
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