Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIE808DF-T1-E3
Herstellerteilenummer | SIE808DF-T1-E3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIE808DF-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIE808DF-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
Paket / fall | 10-PolarPAK® (L) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE808DF-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIE808DF-T1-E3-FT |
SIA810DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA811ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA811DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA811DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA814DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA850DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHS20N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHS90N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHW61N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SQJ858AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel