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Herstellerteilenummer | SIE832DF-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIE832DF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIE832DF-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (S) |
Paket / fall | 10-PolarPAK® (S) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE832DF-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIE832DF-T1-GE3-FT |
IRF7603TR
Infineon Technologies
HTNFET-D
Honeywell Aerospace
BUK9GTHP-55PJTR,51
Nexperia USA Inc.
SQV120N06-4M7L_GE3
Vishay Siliconix
SQV120N10-3M8_GE3
Vishay Siliconix
ZXMP2120FFTA
Diodes Incorporated
ZXMN0545FFTA
Diodes Incorporated
SIA817EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA813DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA810DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix