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Vishay Siliconix SIHB12N60E-GE3

Name: SIHB12N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N60E-GE3
Price: 1.824 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (201 reviews)

MFG-Teilenummer: SIHB12N60E-GE3

verfügbare Anzahl: 61000 Stücke

Referenzpreis: USD 1.824

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIHB12N60E-GE3.pdf

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SIHB12N60E-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIHB12N60E-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIHB12N60E-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
SIHB12N60E-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	937pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	147W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHB12N60E-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIHB12N60E-GE3-FT

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