Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIHP100N60E-GE3
Herstellerteilenummer | SIHP100N60E-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIHP100N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | E |
SIHP100N60E-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1851pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 208W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP100N60E-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHP100N60E-GE3-FT |
SI3495DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3495DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3499DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3805DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3805DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3812DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3812DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3853DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3853DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3867DV-T1-E3
Vishay Siliconix
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel