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Herstellerteilenummer | SIHU3N50DA-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIHU3N50DA-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SIHU3N50DA-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 177pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 69W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Paket / fall | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHU3N50DA-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIHU3N50DA-GE3-FT |
DMTH10H010SCT
Diodes Incorporated
DMTH10H025LK3Q-13
Diodes Incorporated
FDMC010N08LC
ON Semiconductor
FDMS004N08C
ON Semiconductor
FDMS007N08LC
ON Semiconductor
FDMS2D5N08C
ON Semiconductor
FDMS4D4N08C
ON Semiconductor
N0434N-S23-AY
Renesas Electronics America
N0602N-S19-AY
Renesas Electronics America
N0603N-S23-AY
Renesas Electronics America
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel