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Vishay Siliconix SIJ458DP-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SIJ458DP-T1-GE3
verfügbare Anzahl
23050 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SIJ458DP-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SIJ458DP-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SIJ458DP-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SIJ458DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4810pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Paket / fall PowerPAK® SO-8
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIJ458DP-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SIJ458DP-T1-GE3-FT

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