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Herstellerteilenummer | SIR432DP-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIR432DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIR432DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 28.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30.6 mOhm @ 8.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1170pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 5W (Ta), 54W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR432DP-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIR432DP-T1-GE3-FT |
SI7386DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7388DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7388DP-T1-GE3
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SI7390DP-T1-E3
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SI7392ADP-T1-E3
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SI7392ADP-T1-GE3
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SI7392DP-T1-E3
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SI7392DP-T1-GE3
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SI7430DP-T1-E3
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SI7434ADP-T1-RE3
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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