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Herstellerteilenummer | SIRA01DP-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIRA01DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
SIRA01DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 26A (Ta), 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 112nC @ 10V |
Vgs (Max) | +16V, -20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3490pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA01DP-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIRA01DP-T1-GE3-FT |
SI7703EDN-T1-GE3
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SI7718DN-T1-GE3
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AGL600V2-CSG281
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
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