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Vishay Siliconix SIS334DN-T1-GE3

Name: SIS334DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS334DN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.9 (777 reviews)

MFG-Teilenummer: SIS334DN-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 15190 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIS334DN-T1-GE3.pdf

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SIS334DN-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIS334DN-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIS334DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SIS334DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS334DN-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIS334DN-T1-GE3-FT

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