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Herstellerteilenummer | SIRA26DP-T1-RE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIRA26DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
SIRA26DP-T1-RE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2247pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 43.1W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA26DP-T1-RE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIRA26DP-T1-RE3-FT |
SI7720DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7726DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7802DN-T1-E3
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SI7802DN-T1-GE3
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SI7820DN-T1-E3
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SIS330DN-T1-GE3
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SIS334DN-T1-GE3
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SIS407ADN-T1-GE3
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SIS414DN-T1-GE3
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SIS426DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel