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SIS626DN-T1-GE3 Image

Vishay Siliconix SIS626DN-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SIS626DN-T1-GE3
verfügbare Anzahl
36840 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SIS626DN-T1-GE3.pdf
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SIS626DN-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SIS626DN-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SIS626DN-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
SIS626DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Paket / fall PowerPAK® 1212-8
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS626DN-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SIS626DN-T1-GE3-FT

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