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Vishay Siliconix SIS778DN-T1-GE3

Name: SIS778DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS778DN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.8 (205 reviews)

MFG-Teilenummer: SIS778DN-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 89960 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIS778DN-T1-GE3.pdf

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SIS778DN-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIS778DN-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIS778DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
SIS778DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	42.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1390pF @ 15V
FET-Funktion	Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)	52W (Tc)
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS778DN-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIS778DN-T1-GE3-FT

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