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Herstellerteilenummer | SISH110DN-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SISH110DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® Gen II |
SISH110DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8SH |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISH110DN-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SISH110DN-T1-GE3-FT |
SI3434DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3438DV-T1-E3
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SI3438DV-T1-GE3
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SI3440ADV-T1-GE3
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SI3441BDV-T1-E3
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LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel