Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI3441BDV-T1-E3
Herstellerteilenummer | SI3441BDV-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI3441BDV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI3441BDV-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.45A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 860mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3441BDV-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI3441BDV-T1-E3-FT |
SI5402BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5402DC-T1-E3
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XC4005E-2TQ144I
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M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
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