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Vishay Siliconix SISH410DN-T1-GE3

Name: SISH410DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH410DN-T1-GE3
Price: 0.408032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (45 reviews)

MFG-Teilenummer: SISH410DN-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 24150 Stücke

Referenzpreis: USD 0.408032

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SISH410DN-T1-GE3.pdf

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SISH410DN-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SISH410DN-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SISH410DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SISH410DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	22A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8SH
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISH410DN-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SISH410DN-T1-GE3-FT

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