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Vishay Siliconix SISS10ADN-T1-GE3

Name: SISS10ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS10ADN-T1-GE3
Price: 0.225368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (660 reviews)

MFG-Teilenummer: SISS10ADN-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 35900 Stücke

Referenzpreis: USD 0.225368

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SISS10ADN-T1-GE3.pdf

SISS10ADN-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SISS10ADN-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SISS10ADN-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET® Gen IV
SISS10ADN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	31.7A (Ta), 109A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3030pF @ 20V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8S
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISS10ADN-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SISS10ADN-T1-GE3-FT

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