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Vishay Siliconix SISS23DN-T1-GE3

Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3
Price: 0.29656 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (519 reviews)

MFG-Teilenummer: SISS23DN-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 82970 Stücke

Referenzpreis: USD 0.29656

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SISS23DN-T1-GE3.pdf

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SISS23DN-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SISS23DN-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SISS23DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SISS23DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8840pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISS23DN-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SISS23DN-T1-GE3-FT

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