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Vishay Siliconix SISS26DN-T1-GE3

Name: SISS26DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS26DN-T1-GE3
Price: 0.637632 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (796 reviews)

MFG-Teilenummer: SISS26DN-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 65910 Stücke

Referenzpreis: USD 0.637632

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SISS26DN-T1-GE3.pdf

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SISS26DN-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SISS26DN-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SISS26DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET® Gen IV
SISS26DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1710pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	57W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8S
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISS26DN-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SISS26DN-T1-GE3-FT

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