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Herstellerteilenummer | SISS70DN-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SISS70DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SISS70DN-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 125V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8.5A (Ta), 31A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 62.5V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS70DN-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SISS70DN-T1-GE3-FT |
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
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5CGXFC7C6U19A7N
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