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Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3

Name: SIZF916DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZF916DT-T1-GE3
Price: 0.61992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (590 reviews)

MFG-Teilenummer: SIZF916DT-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 76030 Stücke

Referenzpreis: USD 0.61992

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH DUAL 30V

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIZF916DT-T1-GE3.pdf

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SIZF916DT-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIZF916DT-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIZF916DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET® Gen IV
SIZF916DT-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Leistung max	3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-PowerWDFN
Supplier Device Package	8-PowerPair® (6x5)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZF916DT-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIZF916DT-T1-GE3-FT

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